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XRS8V04S

双N沟道40V快速开关MOSFET

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私有库下单最高享92折
描述
特性:分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低导通电阻的高密度单元设计。应用:DC-DC转换器。 电源管理功能
品牌名称
XNRUSEMI(新锐)
商品型号
XRS8V04S
商品编号
C50314141
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))18.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)21.3W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)3.8nC@4.5V
输入电容(Ciss)369pF
反向传输电容(Crss)13pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)233pF

商品概述

  • 无铅产品已购入
  • 高级沟槽

商品特性

  • 分裂栅沟槽MOSFET技术
  • 出色的散热封装
  • 用于低RDS(ON)的高密度单元设计

应用领域

  • DC-DC转换器
  • 电源管理功能
  • 同步整流应用

数据手册PDF