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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.1nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
这些N沟道MOSFET采用先进的美格纳半导体(Magnachip)MOSFET技术制造,具备低导通电阻、高开关性能和卓越品质。这些器件适用于开关电源(SMPS)、高速开关及通用应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 600 V
- 漏源电压(VDS) = 660 V
- 漏极电流(ID) = 7.0 A
- 导通电阻RDS(ON) ≤ 1.15 Ω
应用领域
- 电源
- 功率因数校正(PFC)
- 大电流、高速开关