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MDD7N25RH
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 56W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 370pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.5pF | |
| 输出电容(Coss) | 77.5pF |
商品概述
MDD7N25采用了先进的美格纳半导体（Magnachip）MOSFET技术，具备低导通电阻、高开关性能和卓越品质。 MDD7N25适用于开关电源（SMPS）、高强度气体放电灯（HID）及通用应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 250 V
- 漏极电流(ID) = 6.2 A
- 导通电阻(RDS(ON)) ≤ 0.55 Ω
- @栅源电压(VGS) = 10V
应用领域
- 电源
- 功率因数校正(PFC)
- LED电视