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MDD7N25RH引脚图
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MDD7N25RH

N沟道 250V 6.2A

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商品型号
MDD7N25RH
商品编号
C50313224
商品封装
DPAK​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)6.2A
导通电阻(RDS(on))550mΩ@10V
耗散功率(Pd)56W
阈值电压(Vgs(th))5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10.4nC@10V
输入电容(Ciss)370pF
反向传输电容(Crss)7.5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)77.5pF
栅极电压(Vgs)±30V

商品概述

MDD7N25采用了先进的美格纳半导体(Magnachip)MOSFET技术,具备低导通电阻、高开关性能和卓越品质。 MDD7N25适用于开关电源(SMPS)、高强度气体放电灯(HID)及通用应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 250 V
  • 漏极电流(ID) = 6.2 A
  • 导通电阻(RDS(ON)) ≤ 0.55 Ω
  • @栅源电压(VGS) = 10V

应用领域

  • 电源
  • 功率因数校正(PFC)
  • LED电视

数据手册PDF