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MJD41C
NPN塑料封装晶体管
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- 描述
- 本款NPN型三极管具有3A的集电极电流（IC）和100V的集电极-发射极电压（VCEO），适用于中等功率放大与开关场景。其直流电流增益（HFE）范围为100至200，具备良好的信号放大线性度与稳定性。器件在高频响应与导通损耗之间实现了均衡优化，适合用于电源管理模块、消费类电子设备中的继电器驱动、LED调光电路以及各类中等负载的开关控制应用，支持多种常见的封装形式，便于在紧凑型电路设计中实现高效布局。
- 商品型号
- MJD41C
- 商品编号
- C50269816
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.338191克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 200@1A,4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 50MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV@1.5A,0.15A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品特性
- 中功率互补硅晶体管