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MJD42C
PNP塑料封装晶体管
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- 描述
- 该PNP型三极管具备3A集电极电流（IC）与100V集电极-发射极耐压（VCEO），适合中高功率信号放大及开关应用。其直流电流增益（HFE）在100至200之间，确保了较高的增益一致性与电路稳定性。器件适用于电源控制电路、便携式电子设备的负载切换、音频信号处理模块以及各类中等功率驱动电路。良好的热稳定性和响应特性使其在消费类电子产品与通信设备中表现出色，支持多种封装形式，便于集成于紧凑型电路板设计中。
- 商品型号
- MJD42C
- 商品编号
- C50269817
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.338693克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 200@1A,4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 50MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV@3A,0.375A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品特性
- 中功率互补硅晶体管