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JSM2124AT
三相桥式同相栅极驱动器
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- 描述
- 电机驱动芯片，三相高低侧功率驱动芯片 驱动配置：高低侧 负载类型：MOSFET；IGBT 含自举二极管 电源电压：8V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM2124AT
- 商品编号
- C50202099
- 商品封装
- TSSOP-20
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 三相 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | - | |
| 灌电流(IOL) | 1.2A | |
| 拉电流(IOH) | 1A | |
| 工作电压 | 5V~20V | |
| 上升时间(tr) | 40ns | |
| 下降时间(tf) | 15ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 150ns | |
| 传播延迟 tpHL | 150ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 功能特性 | 内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
JSM2124是一款三相高压功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，用于驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。其浮动通道驱动设计可支持高达250V的总线电压。该器件输出可提供强大的驱动能力，输出拉电流和灌电流可达1.0A/1.4A。JSM2124工作电压范围宽，高侧和低侧栅极驱动电压均可优化，以实现驱动效率。内部直通和死区电路可防止两个晶体管同时导通，进一步降低开关损耗。JSM2124的欠压锁定功能确保在电源电压过低时，两个驱动器的输出均为低电平。JSM2124集成了自举二极管，可最大程度优化芯片外围电路。JSM2124AT采用TSSOP20封装，JSM2124Q采用QFN 24封装，可在-40℃ ~ 125℃的温度范围内工作。
商品特性
- 专为自举操作设计的浮动通道
- 完全工作电压高达+250V
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- dV/dt噪声抗扰度±50V/sec
- 允许的负VS能力：-9V
- 栅极驱动电源范围从5V到25V
- 高侧和低侧欠压锁定电路
- 欠压锁定正向阈值4.5V
- 欠压锁定负向阈值4.3V
- 防止交叉导通的逻辑
- 死区时间：200ns
- 芯片传输延迟特性
- 导通/关断传输延迟Ton/Toff = 150ns/150ns
- 延迟匹配时间小于50ns
- 双通道匹配的传播延迟
- 宽工作温度范围-40℃ ~ 125℃
- 典型输出源电流/灌电流能力：1.0A/1.2A
- 集成自举二极管
- TSSOP20和QFN24封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机控制
- 通用逆变器
- 微型/小型逆变器驱动
- 电动工具
- 电动汽车