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STD16N50M2
1个N沟道 耐压:500V 电流:13A
- 描述
- N沟道500 V、0.24 Ohm典型值、13 A MDmesh M2功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD16N50M2
- 商品编号
- C513090
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.518克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@10V,6.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 710pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.35pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这些器件是采用 MDmesh™ M2 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET。得益于其条形布局和改进的垂直结构，这些器件具有低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容（C_OSS）特性
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
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