商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 43W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.268nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 187pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 40 V
- 漏极电流(ID) = 60 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 8 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 9 mΩ
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻(Rdson)
- 电压控制小信号开关
- 开关速度快
应用领域
- 负载开关
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源