商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 86.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.368nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 100V
- 漏极电流(ID) = 120 A
- 栅源电压(VGS)为 10 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 5 mΩ
- 经过雪崩能量测试
- 开关速度快
- 改善了电压变化率(dv/dt)能力,坚固性高
应用领域
- 负载开关
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源