商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 95W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 20V
- 漏极电流(ID) = 80 A
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 6 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 2.5 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 7 mΩ
- 沟槽功率低压 MOSFET 技术
- 电压控制小信号开关
- 快速开关速度
应用领域
-负载开关-硬开关和高频电路-不间断电源