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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 低导通电阻
- 小型表面贴装封装（TSMT6）
- 无铅镀铅；符合RoHS标准
应用领域
- 开关