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RUC002N05HZGT116
1个N沟道 耐压:50V 电流:200mA
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- 描述
- N沟道50V 200mA小信号MOSFET
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RUC002N05HZGT116
- 商品编号
- C510013
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 300mV | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 极快的开关速度
- 超低电压驱动(1.2V驱动)
- 通过AEC-Q101认证
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 开关电路
- 低端负载开关
- 继电器驱动器