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GT650P20M
P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-200V@@连续漏极电流(Id)：-50A@@阈值电压(Vgs(th))：-4V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：51mΩ@10V @@封装：TO-263
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT650P20M
- 商品编号
- C49576335
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 51mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 320W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 116nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |