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GT080P08M实物图
  • GT080P08M商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

GT080P08M

P沟道增强型功率MOSFET

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描述
类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-80V@@连续漏极电流(Id)：-180A@@阈值电压(Vgs(th))：-3V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：7.7mΩ@10V 9.6mΩ@4.5V @@封装：TO-263
品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
GT080P08M
商品编号
C49576337
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)180A
导通电阻(RDS(on))9.3mΩ@10V；12mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)490W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)208nC@10V
输入电容(Ciss)13.5nF
反向传输电容(Crss)430pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)900pF

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