温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

GT080P08M

P沟道增强型功率MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: 类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-80V@@连续漏极电流(Id)：-180A@@阈值电压(Vgs(th))：-3V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：7.7mΩ@10V 9.6mΩ@4.5V @@封装：TO-263
品牌名称: GOFORD(谷峰)
商品型号: GT080P08M
商品编号: C49576337
商品封装: TO-263
包装方式: 编带
商品毛重: 1.682克(g)

商品参数

这些 N 型增强型功率 MOSFET 是采用最新的制造工艺技术生产的。该工艺采用接近大规模集成电路特征尺寸的尺寸，能最大限度地利用硅材料，从而实现卓越的性能。它们是为应用于诸如开关调节器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计的。这些晶体管可以直接从集成电路中供电运行。

-电源开关-DC/DC转换器