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GT100P10M
P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-100V@@连续漏极电流(Id)：-140A@@阈值电压(Vgs(th))：-5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：7.8mΩ@10V @@封装：TO-263
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT100P10M
- 商品编号
- C49576336
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 184nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.05nF |
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