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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
74HC165DM/TR
8位并行输入串行输出移位寄存器
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- 描述
- 8 BIT PISO SHIFT REGISTER
- 品牌名称
- HGSEMI(华冠)
- 商品型号
- 74HC165DM/TR
- 商品编号
- C49496644
- 商品封装
- SOP-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 移位寄存器 | |
| 功能 | 并行至串行 | |
| 工作电压 | 2V~6V | |
| 时钟频率(fc) | 36MHz | |
| 输出类型 | 互补式 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 系列 | 74HC | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 传播延迟(tpd) | 26ns@6V,50pF | |
| 功能特性 | 异步并行加载功能 |
商品概述
74HC165D是一款采用硅栅CMOS工艺制造的高速CMOS 8位并行输入串行输出移位寄存器。该器件包含八个时钟控制的主从RS触发器，连接构成移位寄存器，并配有辅助门控电路以实现覆盖式的异步并行数据载入。当移位/载入输入为低电平时，并行数据被载入。只要遵守推荐的建立和保持时间，并行数据可以在移位/载入为低电平期间发生变化。对于时钟操作，移位/载入必须为高电平。两个时钟输入功能相同；其中一个可通过施加高电平信号用作时钟禁止输入；为实现此操作，时钟通过一个2输入或非门完成。为避免双重时钟触发，禁止信号应仅在时钟为高电平时变为高电平。否则，上升的禁止信号将引起与上升时钟沿相同的响应。所有输入端均配备有防止静电放电和瞬态过压的保护电路。
商品特性
- 低功耗：在TA = 25°C时，ICC = 8μA（最大值）
- 对称输出阻抗：|IOH| = IOL = 4 mA（最小值）
- 平衡的传播延迟：TPLH ≅ TPHL
- 宽工作电压范围：VCC(OPR.) = 2V ~ 6V
应用领域
- 工业
- 计算机
- 消费电子