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BY25Q16ESSIG(R)
16M位SPI NOR闪存
- 描述
- 16M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持标准串行外设接口 (SPI)、双/四 I/O SPI 以及 2 时钟指令周期的四外设接口 (QPI)，包括串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (DI)、I/O1 (DO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。支持高达 108MHz 的 SPI 时钟频率，使用快速读取双/四和 QPI 指令时，双 I/O 等效时钟速率可达 216MHz (108MHz x 2)，四 I/O 可达 432MHz (108MHz x 4)。这些传输速率可超越标准异步 8 位和 16 位并行闪存。连续读取模式允许以低至 8 个时钟的指令实现高效的内存访问。
- 品牌名称
- BOYAMICRO(博雅)
- 商品型号
- BY25Q16ESSIG(R)
- 商品编号
- C49498199
- 商品封装
- SOP-8-208mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 16Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 108MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 2.5uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 160us | |
| 块擦除时间(tBE) | 200ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位 |
商品概述
该器件是一款16M位串行闪存，采用先进的CMOS浮栅工艺技术。它支持标准SPI、双SPI、四线SPI和QPI（四线外设接口）操作模式，提供高性能的读取、编程和擦除功能。其架构基于均匀分布的4KB扇区，可组织为32KB或64KB的块，便于灵活的数据管理。该器件支持就地执行（XIP）操作，允许微控制器直接从闪存运行代码，从而提升系统性能并简化设计。它集成了多种数据保护机制，包括软件和硬件写保护、安全寄存器以及块保护功能。该器件设计用于在低功耗下运行，并具有高耐久性和长期数据保持能力。
商品特性
- 串行外设接口：支持标准SPI、双SPI、四线SPI和QPI模式。
- 读取：常规读取（串行）时钟速率达104MHz；快速读取（串行）在30pF负载下时钟速率达108MHz；双I/O数据传输高达216Mbits/s；四I/O数据传输高达432Mbits/s；QPI数据传输高达432Mbits/s；支持就地执行（XIP）操作：支持8/16/32/64字节回绕的连续读取。
- 编程：串行输入页编程，最多256字节；支持编程挂起和恢复。
- 擦除：支持块擦除（64/32 KB）、扇区擦除（4 KB）和芯片擦除；支持擦除挂起和恢复。
- 编程/擦除速度：页编程时间典型值0.16ms；扇区擦除时间典型值20ms；块擦除时间典型值0.055/0.2s；芯片擦除时间典型值4s。
- 灵活架构：4KB扇区；32/64KB块。
- 低功耗：最大工作电流9mA；最大掉电电流2.5μA。
- 软件/硬件写保护：3个1024字节安全寄存器，带一次性可编程锁；可发现参数（SFDP）寄存器；通过WP引脚启用/禁用保护；通过软件写保护全部或部分存储器；支持顶部或底部、扇区或块选择。
- 单电源电压：完整电压范围2.7~3.6V。
- 温度范围：商用（-40°C to +85°C）；工业级（-40°C to +85°C）；工业级（-40°C to +105°C）；工业级（-40°C to +125°C）。
- 循环耐久性/数据保持：任何扇区典型100k次编程-擦除循环；典型20年数据保持期。