温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TSK110N25M
N沟道 250V 110A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- TO-247，N沟道，110N25，250V，110A，0.03Ω（Max）
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSK110N25M
- 商品编号
- C49437795
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 694W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 202nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.009nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 114pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.065nF |
商品概述
这款功率MOSFET采用TrueSemi先进的平面条纹DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。
商品特性
- 110A、250V，最大RDS(on)=30mΩ（VGS = 10V时）
- 漏源击穿电压：BVDSS = 250V（最小值）
- 低漏源导通电阻：RDS(on)=30mΩ（最大值）
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准的器件
相似推荐
其他推荐