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TSK110N25MSD
250V N沟道快速恢复MOSFET
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- 描述
- 快恢复，TO-247，N沟道，110N25，250V，110A，0.03Ω（Max）
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSK110N25MSD
- 商品编号
- C49437796
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 694W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.926nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 107pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.06nF |
商品概述
这款功率MOSFET采用了东微半导（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。
商品特性
- 110A、250V,最大导通电阻RDS(on)=30mΩ(VGS = 10V时)
- 漏源击穿电压:BVDSS = 250V(最小值)
- 低漏源导通电阻:RDS(on) = 30mΩ(最大值)
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准的器件
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