温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
JTD2301A
P沟道增强型功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 20V,3A,4.5V内阻64MΩ
- 品牌名称
- JTD(晶泰达)
- 商品型号
- JTD2301A
- 商品编号
- C49308280
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 64mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
2301采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20 V，ID = -3 A
- 在VGS = -2.5 V时，RDS(ON) < 89 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 64 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理