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JTD2301B
SOT-23封装P沟道20V MOSFET
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- 描述
- 20V,2.8A,4.5V内阻72MΩ
- 品牌名称
- JTD(晶泰达)
- 商品型号
- JTD2301B
- 商品编号
- C49308281
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038367克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@4.5V；99mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管功率MOSFET
应用领域
- 便携式设备负载开关
- DC/DC转换器