JTDBSS138
N沟道增强型场效应晶体管
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- 描述
- 50V,340MA,10V内阻2.5Ω
- 品牌名称
- JTD(晶泰达)
- 商品型号
- JTDBSS138
- 商品编号
- C49308285
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0386克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@4.5V;1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 17.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11.5pF |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术-电压控制小信号开关-低输入电容 • 快速开关速度-低输入/输出泄漏电流
应用领域
- 电池供电系统-固态继电器-直接逻辑电平接口:TTL/CMOS
