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NCS21802DMR2G-HXY

零漂移、微功耗1.5MHz、轨到轨输入输出运算放大器

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描述: 该精密运算放大器采用双路设计，提供2μV的超低输入失调电压和70pA的输入偏置电流，显著提升信号采集的准确性与稳定性。1.5MHz的增益带宽积支持中频范围内的高效、线性放大。适用于传感器信号调理、高精度测量仪器、模拟滤波电路及医疗电子设备等对性能要求严苛的应用场景，满足复杂信号链中对失真抑制和动态响应的高标准需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NCS21802DMR2G-HXY
商品编号: C49307755
商品封装: MSOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0675克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	精密运放
	单电源电压	1.8V~5.5V
	双电源电压(Vee~Vcc)	1V~2.75V；-2.75V~-1V
	输入失调电压(Vos)	2uV
	输入失调电压温漂(Vos TC)	5nV/℃
	增益带宽积(GBW)	1.5MHz
	轨到轨	轨到轨输入,轨到轨输出
	压摆率(SR)	1.2V/us

	属性	参数值
	共模抑制比(CMRR)	130dB
	输入电压噪声密度(eN)	19nV/√Hz@1kHz
	输入偏置电流(Ib)	70pA
	静态电流(Iq)	125uA
	输出电流	40mA
	输入失调电流(Ios)	100pA
	工作温度	-40℃~+125℃
	功能特性	EMI滤波/RF抑制；ESD保护；内置补偿；零漂移/自动稳零

商品概述

NCS21802DMR2G系列放大器通过采用专利的快速阶跃响应斩波稳定技术，提供输入失调电压校正，从而实现极低的失调和漂移。该方法持续测量并补偿输入失调，消除了随时间、温度变化的漂移以及1/f噪声的影响。这一设计突破实现了1.5 MHz的增益带宽积和1.2 V/μs的高压摆率，同时仅消耗125 μA的电源电流。这些器件具有单位增益稳定性，并具备良好的电源抑制比和共模抑制比。该系列放大器非常适合需要精确放大低电平信号的应用，在这些应用中，即使在高带宽和快速瞬态响应要求下，也不允许存在误差源。轨到轨的输入和输出摆幅使得高侧和低侧检测都变得容易。NCS21802DMR2G系列可在低至1.8 V的单电源电压下工作，适用于双节电池应用。该系列运算放大器增强了电磁干扰防护，以最大限度地减少来自外部源的任何电磁干扰，并具有高静电放电保护能力。所有型号均规定在-40 ℃至+125 ℃的扩展工业温度范围内工作。

商品特性

高直流精度：最大失调电压为±8 μV，最大漂移为±40 nV/℃；最小开环增益为112 dB；最小电源抑制比为112 dB；最小共模抑制比为112 dB；典型输入电压噪声为0.45 μVPP
1.5 MHz带宽和1.2 V/μs压摆率；对于1V阶跃信号，建立至0.1%精度的时间为1.2 μs
过载恢复至0.1%精度的时间为35 μs
微功耗，每个放大器消耗125 μA电流，工作电源电压范围宽达1.8 V至5.5 V
工作温度范围为-40℃至+125℃

应用领域

精密电流检测
电阻式热探测器
温度、位置和压力传感器
医疗设备
电子秤
应变片放大器
热电偶放大器
驱动模数转换器

数据手册PDF

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