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MCP6V77T-E/MS-HXY

零漂移、微功耗1.5MHz、RRIO运算放大器

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描述: 该精密双路运算放大器具备2μV的超低输入失调电压和70pA的输入偏置电流，确保了在微弱信号处理中的高精度与低漂移特性。1.5MHz的增益带宽积支持其在中高频应用中的稳定表现，适合用于多级放大、信号调理及滤波设计。主要应用于测试测量设备、医疗电子、传感器接口以及要求高线性度与低噪声的模拟电路系统。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: MCP6V77T-E/MS-HXY
商品编号: C49307758
商品封装: MSOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.068克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	精密运放
	单电源电压	1.8V~5.5V
	输入失调电压(Vos)	2uV
	输入失调电压温漂(Vos TC)	5nV/℃
	增益带宽积(GBW)	1.5MHz
	轨到轨	轨到轨输入,轨到轨输出
	压摆率(SR)	1.2V/us
	共模抑制比(CMRR)	130dB

	属性	参数值
	输入电压噪声密度(eN)	19nV/√Hz@1kHz
	输入偏置电流(Ib)	70pA
	静态电流(Iq)	125uA
	输出电流	40mA
	输入失调电流(Ios)	100pA
	工作温度	-40℃~+125℃
	功能特性	EMI滤波/RF抑制；ESD保护；内置补偿；零漂移/自动稳零

商品概述

MCP6V77T-E/MS 系列放大器采用专利的快速阶跃响应斩波稳定技术，提供输入失调电压校正，从而实现极低的失调和漂移。该方法持续测量并补偿输入失调，消除了随时间、温度变化的漂移以及 1/f 噪声的影响。这一设计突破实现了 1.5 MHz 的增益带宽积和 1.2 V/μs 的高压摆率，同时仅消耗 125 μA 的电源电流。这些器件具有单位增益稳定性，并具备良好的电源抑制比和共模抑制比。该系列非常适用于需要精密放大低电平信号的应用，这些应用无法容忍误差源，甚至需要高带宽和快速瞬态响应。其轨到轨的输入和输出摆幅使得高侧和低侧检测都变得容易。该系列可在低至 1.8 V 的单电源电压下工作，适用于双节电池应用。这些运算放大器增强了电磁干扰保护功能，以最大限度地减少来自外部源的电磁干扰，并具有高静电放电保护能力。所有型号均指定在 -40°C 至 +125°C 的扩展工业温度范围内工作。

商品特性

高直流精度：最大失调电压为 ±8 μV，最大漂移为 ±40 nV/°C
最小开环增益为 112 dB
最小电源抑制比为 112 dB
最小共模抑制比为 112 dB
0.1 Hz 至 10 Hz 频段内的典型输入电压噪声为 0.45 μVₚ₋ₚ
1.5 MHz 带宽和 1.2 V/μs 压摆率
对于 1V 阶跃信号，达到 0.1% 精度的建立时间为 1.2 μs
达到 0.1% 精度的过载恢复时间为 35 μs
每个放大器微功耗为 125 μA，宽电源电压范围为 1.8 V ~ 5.5 V
工作温度范围为 -40°C ~ +125°C

应用领域

精密电流检测
电阻式热探测器
温度、位置和压力传感器
医疗设备
电子秤
应变片放大器
热电偶放大器
驱动模数转换器

数据手册PDF

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