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MX25L25645GM2I-10G
3V、256Mbit [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO（串行多I/O）闪存 停产
- 描述
- 特性：支持串行外设接口。模式0和模式3单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6V。268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。支持单I/O、双I/O和四I/O。从 -1V到Vcc +1V的闩锁保护高达100mA
- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX25L25645GM2I-10G
- 商品编号
- C504699
- 商品封装
- SOP-8-208mil
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.262克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 256Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 120MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 15uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 750us | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品特性
- 支持串行外设接口——模式0和模式3
- 单电源操作
- 读写和擦除操作电压范围为2.7至3.6伏
- 具有268435456 x 1位结构，或134217728 x 2位（双I/O模式）结构，或67108864 x 4位（四I/O模式）结构
- 协议支持：单I/O、双I/O和四I/O
- 从 -1V到Vcc +1V的闩锁保护电流可达100mA
- 低Vcc写禁止电压范围为1.5V至2.5V
- SPI模式下快速读取
- 所有协议支持高达133MHz的时钟频率
- 支持快速读取、2READ、DREAD、4READ、QREAD指令
- 支持DTR（双倍传输速率）模式
- 快速读取操作时可配置空周期数
- 支持性能增强模式 - XIP（即取即用）
- 具备四外设接口（QPI）
- 具有相等的4K字节扇区，或相等的32K字节或64K字节块
- 任何块都可单独擦除
- 编程方面：
- 256字节页缓冲
- 四输入/输出页编程（4PP）以提高编程性能
- 典型擦除/编程周期为100000次
- 数据保留时间为20年
- 输入数据格式：1字节命令代码
- 高级安全特性：
- 块锁定保护
- BP0 - BP3和T/B状态位定义了防止编程和擦除指令的保护区域大小
- 单个扇区保护功能（固态保护）
- 额外的4K位安全OTP
- 具有唯一标识符
- 工厂锁定可识别，客户可锁定
- 命令复位
- 编程/擦除暂停和恢复操作
- 电子识别：
- JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备ID
- RES命令用于获取1字节设备ID
- REMS命令用于获取1字节制造商ID和1字节设备ID
- 支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式
- SCLK输入：串行时钟输入
- SI/SIO0：2×I/O读取模式和4×I/O读取模式下的串行数据输入或串行数据输入/输出
- SO/SIO1