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SIR462DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- N沟道,30V,30A,10mΩ@4.5V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR462DP-T1-GE3
- 商品编号
- C50741
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.131克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.155nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21标准的无卤要求
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 100%进行非钳位感性负载开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 高端开关
- 服务器、电压调节模块(VRM)、负载点(POL)
- 直流-直流转换器
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