PUCC218200BQDFPRQ1

描述: 是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于直流工作电压高达1500V的SiCMOSFET和IGBT，具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。具有高达 ±15A 的峰值拉电流和灌电流。输入侧通过 SiO₂ 隔离技术与输出侧相隔离，支持高达1.06kVRMS的工作电压、10kVₚₖ 的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过40年，并提供较低的器件间偏移，共模瞬态抗扰度(CMTI)大于200V/ns。包含先进的保护特性，如快速过流和短路检测、故障后的受控软关断、故障报告、有源米勒钳位、输入和输出侧电源UVLO（用于优化SiC和IGBT开关行为和稳健性)、初级侧和次级侧的主动短路输入、输出电压栅极监控以及启动期间的内置自检
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: PUCC218200BQDFPRQ1
商品编号: C49256226
商品封装: SSOP-20
包装方式: 编带
商品毛重: 0.244克(g)

商品参数

商品概述

UCC218200-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于直流工作电压高达 1500V 的 SiC MOSFET 和IGBT，具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。UCC218200-Q1 具有高达 ±15A 的峰值拉电流和灌电流。输入侧通过 SiO2 隔离技术与输出侧相隔离，支持高达1.06kVRMS 的工作电压、10kV PK的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏移，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 200V/ns。UCC218200-Q1 包含先进的保护特性，如快速过流和短路检测、故障后的受控软关断、故障报告、有源米勒钳位、输入和输出侧电源 UVLO (用于优化 SiC 和IGBT 开关行为和稳健性)、初级侧和次级侧的主动短路输入、输出电压栅极监控以及启动期间的内置自检。

商品特性

5kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
支持高达 1500Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
30V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
具有分离输出的 ±15A 驱动强度
200V/ns 最小 CMTI
具有 9V 阈值的 200ns 快速响应时间 DESAT 保护
具有 2.5A 灌电流能力的专用软关断 (SSD) 引脚。关断电流可通过外部电阻器进行控制
4A 内部有源米勒钳位
FLT 的过电流报告和通过 RST/EN 重置
针对 RST/EN 的快速启用/禁用响应
RDY 上的 12V VDD UVLO 以及-3V VEE UVLO（具有电源正常指示功能）
RDY 上的过热保护（具有电源正常指示功能）
具有 OUT_FB 上实时输出状态反馈和 RDY 上故障报告功能的输出电压栅极监控器
次级侧初级侧和次级侧的主动短路 (ASC) 输入，可在系统故障期间打开电源开关
上电期间内置自检诊断功能，适用于 DESAT、UVLO
20 引脚 DFP 宽体封装，爬电距离和间隙大于 8mm
工作结温范围:-40℃ 至 150℃

应用领域

电动汽车的牵引逆变器
车载充电器和充电桩
HEV/EV 的直流–直流转换器

	属性	参数值
	商品目录	隔离式栅极驱动器
	驱动配置	高边；低边
	隔离电压(Vrms)	5000V
	负载类型	IGBT、SiC
	通道数	1

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	15A
	灌电流(IOL)	15A
	工作温度	-40℃~+150℃
	CMTI(kV/us)	200kV/us
	功能特性	米勒钳位保护；饱和故障检测