立创商城logo
购物车0
HT65N23EVDRZ实物图
  • HT65N23EVDRZ商品缩略图
  • HT65N23EVDRZ商品缩略图
  • HT65N23EVDRZ商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HT65N23EVDRZ

650V N沟道增强型CoolGaN晶体管

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
增强型650V平台23A的E-MODE氮化镓器件
品牌名称
HTCSEMI(海天芯)
商品型号
HT65N23EVDRZ
商品编号
C49253841
商品封装
PDFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.13克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录氮化镓晶体管(GaN HEMT)
类型N沟道
技术路线E-mode
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)13A
耗散功率(Pd)47W
阈值电压(Vgs(th))1.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)1.8nC
输入电容(Ciss)155pF
反向传输电容(Crss)0.31pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)22pF
导通电阻(RDS(on))140mΩ

商品概述

650V氮化镓增强型功率晶体管,采用5mm×6mm尺寸的双扁平无引脚封装(DFN)

商品特性

  • 增强型晶体管 - 常关功率开关
  • 超高开关频率
  • 无反向恢复电荷
  • 低栅极电荷,低输出电荷
  • ESD保护
  • 符合RoHS、无铅、REACH标准

应用领域

  • AC-DC转换器
  • DC-DC转换器
  • 图腾柱PFC
  • 快速电池充电
  • 高密度功率转换
  • 高效功率转换

数据手册PDF