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HT65N16EVDRZ
HT65N16EVDRZ
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- 描述
- 增强型650V平台16A的E-MODE氮化镓器件
- 品牌名称
- HTCSEMI(海天芯)
- 商品型号
- HT65N16EVDRZ
- 商品编号
- C49253842
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.129克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.26nC | |
| 输入电容(Ciss) | 91pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 15pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.2Ω |