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STD60NF55LT4
N沟道55V-0.012Ω-60A功率MOSFET
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- 描述
- 这款MOSFET采用意法半导体独特的“Single Feature Size™”条形工艺的最新技术。由此产生的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、坚固的抗干扰特性和较少的关键对准步骤，因此具有出色的制造再现性。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD60NF55LT4
- 商品编号
- C49254074
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
商品概述
这款MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新研发成果。由此产生的晶体管展现出极高的封装密度，具备低导通电阻、坚固的雪崩特性，且关键对准步骤更少，因此具有出色的制造可重复性。
商品特性
- 低阈值驱动
应用领域
- 开关应用