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FGH60N60SMD

600V 120A

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描述
安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FGH60N60SMD
商品编号
C50649
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
6.733克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)600V
集电极电流(Ic)120A
耗散功率(Pd)600W
输出电容(Coes)270pF
正向脉冲电流(Ifm)180A
集射极饱和电压(VCE(sat))2.5V@60A,15V
栅极阈值电压(Vge(th))3.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)189nC
输入电容(Cies)2.915nF
开启延迟时间(Td(on))18ns
关断延迟时间(Td(off))104ns
导通损耗(Eon)1.26mJ
关断损耗(Eoff)450uJ
反向恢复时间(Trr)39ns
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
反向传输电容(Cres)85pF
IGBT 类型:场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值):120A
脉冲电流 - 集电极 (Icm):180A
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,60A
功率 - 最大值:600W
开关能量:1.26mJ(开),450μJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:189nC
25°C 时 Td(开/关)值:18ns/104ns
测试条件:400V,60A,3 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):39ns
封装/外壳:TO-247-3
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3

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