FGH60N60SMD
600V 120A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGH60N60SMD
- 商品编号
- C50649
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.733克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 120A | |
| 耗散功率(Pd) | 600W | |
| 输出电容(Coes) | 270pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 180A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.5V@60A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 189nC | |
| 输入电容(Cies) | 2.915nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 18ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 104ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.26mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 450uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 39ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 85pF |
IGBT 类型:场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值):120A
脉冲电流 - 集电极 (Icm):180A
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,60A
功率 - 最大值:600W
开关能量:1.26mJ(开),450μJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:189nC
25°C 时 Td(开/关)值:18ns/104ns
测试条件:400V,60A,3 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):39ns
封装/外壳:TO-247-3
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值):120A
脉冲电流 - 集电极 (Icm):180A
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,60A
功率 - 最大值:600W
开关能量:1.26mJ(开),450μJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:189nC
25°C 时 Td(开/关)值:18ns/104ns
测试条件:400V,60A,3 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):39ns
封装/外壳:TO-247-3
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
优惠活动
购买数量
(30个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个30个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交55单
