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BUK6D120-60PX
1个P沟道 耐压:60V 电流:8A
- 描述
- P-沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用无铅中功率 DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，使用沟槽 MOSFET 技术。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK6D120-60PX
- 商品编号
- C503628
- 商品封装
- DFN-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.017克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 724pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该系列器件采用了超级沟槽 II 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的漏源导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (Qg) 组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 漏源电压 (VDS) = 85 V，漏极电流 (ID) = 90 A
- 漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 5.7 mΩ（典型值 (TO - 220)，栅源电压 (VGS) = 10 V 时）
- 出色的栅极电荷×漏源导通电阻 (RDS(on)) 乘积（品质因数）
- 极低的导通电阻 (RDS(on))
- 工作温度达 175°C
- 无铅引脚镀层
- 100% 进行了非钳位感性开关 (UIS) 测试！
- 100% 进行了 ΔVds 测试！
应用领域
- DC/DC 转换器
- 非常适合高频开关和同步整流
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