温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
INS2003FQ
带互锁PWM输入的半桥氮化镓驱动器，具备独立高低侧逻辑输入、高低侧驱动器互锁、可调节开关速度的分离输出、内部智能自举开关和自适应直通保护等功能
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 商品型号
- INS2003FQ
- 商品编号
- C49215222
- 商品封装
- QFN-12(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4.3A | |
| 拉电流(IOH) | 1.7A | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 上升时间(tr) | 7ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 3ns | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过热保护(OTP)；过压保护(OVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.8V~2.2V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV~1.2V | |
| 静态电流(Iq) | 35uA |
商品概述
INS2003是一款100V半桥驱动器，旨在高效驱动高端和低端氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），专门解决传统MOSFET驱动器解决方案中常见的问题。内部智能自举（BST）开关可防止在死区时间内高端浮动电源BST电容过充电，从而保护GaN FET的栅极，同时为GaN FET的两侧保持一致的栅极电压。INS2003具有输入互锁和内部自适应直通保护电路，确保即使在接近零死区时间时也不会同时输出导通。
INS2003有两个逻辑输入，可独立控制高端和低端驱动器，以实现最大灵活性，并且驱动器具有分离输出，可分别调整导通和关断速度。强大的驱动能力和出色的延迟匹配使INS2003适用于高功率和高频应用。
商品特性
- 独立的高端和低端逻辑输入
- 高端和低端驱动器互锁
- 分离输出，可调节导通/关断速度
- 强大的1Ω上拉和0.2Ω下拉电阻
- 内部强大且智能的自举开关
- 自适应直通保护
- 快速传播延迟（典型值20ns）
- 出色的延迟匹配（典型值1ns）
- 高端浮动电源工作电压高达100V
- 内置欠压锁定（UVLO）、过压锁定（OVLO）、过温保护（OTP）
- 35μA低VCC静态电流
- FCQFN 3mm×3mm封装
应用领域
- 半桥和全桥转换器
- 高压同步DC-DC转换器
- 高频、高功率密度应用
- 48V直流电机驱动
- 高功率D类音频功率放大器
- 汽车48V/12V双向DC-DC