温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
INN100EBD018DAD
氮化镓增强型功率晶体管，采用氮化镓-硅E模式HEMT技术，具有低栅极电荷、超低导通电阻和小尺寸特点，适用于高频DC-DC转换器等
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 商品型号
- INN100EBD018DAD
- 商品编号
- C49215223
- 商品封装
- FCLGA-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.234克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 474A | |
| 耗散功率(Pd) | 658W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1010pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1mΩ |
商品概述
采用尺寸为5.0mm×6.0mm的En - FCLGA封装的硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管（HEMT）。
商品特性
- 硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管技术
- 适用于工业应用
- 极低的栅极电荷
- 超低导通电阻
- 占用空间极小
应用领域
- 高频DC - DC转换器
- 高密度DC/DC电源模块
- 同步整流
- 电机驱动器
- 太阳能系统最大功率点跟踪