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WSF6012
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:20A 15A
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- 描述
- Configuration N+P Type P-Ch VDS(V) -60 VGS(V) 20 ID(A)Max. -15 VGS(th)(v) - RDS(ON)(m?)@4.453V 80 Qg(nC)@4.5V 10 QgS(nC) 3.1 Qgd(nC) 3 Ciss(pF) 500 Coss(pF) 66 Crss(pF) 32
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF6012
- 商品编号
- C503270
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.383克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A；15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V；46mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V；10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF@15V；500pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF；32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF；66pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
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