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SE5VUBD322
5V 4.5A@8/20us
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- 描述
- 特性：对一条 I/O 线进行双向 ESD 保护。 超低电容：典型值为 0.35pF。 低钳位电压。 工作电压：5V。 低泄漏电流。 固态硅雪崩技术。应用：智能手机。 笔记本电脑
- 品牌名称
- SSGSEMI(世晶半导体)
- 商品型号
- SE5VUBD322
- 商品编号
- C49206862
- 商品封装
- SOD-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 22V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 4.5A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 100W@8/20us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-5 | |
| Cj-结电容 | 0.35pF |
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