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IPA80R1K0CE
1个N沟道 耐压:800V 电流:3.6A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPA80R1K0CE
- 商品编号
- C501512
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.19Ω@10V,3.6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 785pF@100V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ CE 是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术。其高电压能力将安全性、性能和耐用性相结合，可实现最高效率水平的稳定设计。CoolMOS™ 800V CE 提供多种封装选择，有助于降低系统成本并实现更高功率密度的设计。
商品特性
~~- 高压技术-极高的 dv/dt 额定值-高峰值电流能力-低栅极电荷-低有效电容-无铅镀层,符合 RoHS 标准,无卤模塑料-适用于消费级应用
应用领域
- QR 反激拓扑的 LED 照明改造应用