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PJA3413-AU_R1_000A1
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：RDS(ON)，VGS@-4.5V，Ip@-3.4A < 82mΩ。 RDS(ON)，VGS@-2.5V，Ip@-2.2A < 110mΩ。 RDS(ON)，VGS@-1.8V，Ip@-1.2A < 146mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 专为开关负载、PWM应用等设计。 通过AEC-Q101认证。 符合欧盟RoHS 2.0的无铅标准。 采用符合IEC 61249标准的绿色模塑料
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJA3413-AU_R1_000A1
- 商品编号
- C4555446
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 146mΩ@1.8V,1.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 522pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOD609-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压 = 40V，漏极电流 = 20A
- 栅源电压 = 10V时，漏源导通电阻 < 24 mΩ
- 漏源电压 = -40V，漏极电流 = -20A
- 栅源电压 = -10V时，漏源导通电阻 < 38 mΩ
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机
- TO-252-4L
- N沟道MOSFET
- P沟道MOSFET