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DMN601WKQ
1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
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- 描述
- MOSFET
- 品牌名称
- Leiditech(雷卯电子)
- 商品型号
- DMN601WKQ
- 商品编号
- C4555457
- 商品封装
- SOT-323-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量测试
应用领域
- 负载开关