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IXBH9N160G
1.6kV 9A
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- 描述
- 特性：高压封装。 取代高压达林顿管和串联MOSFET。 较低的有效导通电阻。 MOS栅极导通。 驱动简单。 与10V导通栅极电压的MOSFET兼容。应用：反激式转换器。 直流斩波器
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXBH9N160G
- 商品编号
- C499431
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.6kV | |
| 集电极电流(Ic) | 9A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 10A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 100uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 7V@5A,15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Cies) | 550pF | |
| 输出电容(Coes) | 36pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 5pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 70ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 120ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该产品为N沟道增强型MOSFET晶体管，其主要参数为：V_CES = 1600V，I_C25 = 9A，V_CE(sat) ≤ 7.0V，t_fi(typ) = 70ns，采用TO - 247封装，G为栅极，C为集电极，E为发射极，散热片为集电极。
商品特性
- 高压封装，可替代高压达林顿管和串联MOSFET
- 较低的有效导通电阻R_DSON
- MOS栅极导通，驱动简单，与10V导通栅极电压的MOSFET兼容
- 单片结构，具有高阻断电压能力和非常快速的关断特性
- 国际标准封装，具备反向导通能力
- 低栅极驱动要求
- 高功率密度
应用领域
- 反激式转换器
- 直流斩波器
- 不间断电源（UPS）
- 开关模式和谐振模式电源
- CRT偏转