K15N20
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 910pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品特性
- 低栅漏电荷,降低开关损耗
- 全面表征电容,包括有效输出电容Coss,简化设计
- 全面表征雪崩电压和电流
应用领域
- 高频DC-DC转换器
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 910pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |