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XJNG2302

三相200V半桥驱动器

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描述: 是一款三相栅极驱动IC，可用于驱动高端、低端或半桥配置的功率MOSFET。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET，工作电压高达200V。
品牌名称: WXNSIC(国硅集成)
商品型号: XJNG2302
商品编号: C48542889
商品封装: TSSOP-20
包装方式: 编带
商品毛重: 0.521186克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	三相；半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	-
	灌电流(IOL)	1.8A
	拉电流(IOH)	1.5A
	工作电压	7V~20V
	上升时间(tr)	30ns
	下降时间(tf)	30ns

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	150ns
	传播延迟 tpHL	120ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	-
	输入低电平(VIL)	-
	静态电流(Iq)	230uA
	功能特性	交错导通保护；死区时间控制

商品概述

XJNG2302是一款三相栅极驱动器集成电路，可用于在半桥配置中驱动高侧和低侧功率MOSFET。其专有的高压集成电路和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，最低可至3.3V逻辑电平。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，旨在最小化驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高侧配置中的N沟道功率MOSFET，其工作电压最高可达200V。

商品特性

完全工作电压至+200V
dV/dt抗扰度±50V/纳秒
典型负偏置电压能力-9V
栅极驱动电源电压范围7V至20V
兼容3.3V/5V输入逻辑
所有通道均具备欠压锁定功能
交叉导通预防逻辑
典型源/灌电流能力1.5A/1.8A

应用领域

三相直流无刷电机驱动器
工业电机控制

数据手册PDF

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