温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

XJNG0461

带LDO的三相PMOS+NMOS半桥驱动芯片

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: XJNG0461是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达40V。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，每一相都具有高、低侧两个输入以及两个输出信号。逻辑兼容标准CMOS或LSTTL输出，逻辑输入电平低至3.3V。XJNG0461为PMOS和NMOS输出10V的栅-源电压，内置死区功能来避免同一相的高、低压侧PMOS和NMOS直通。
品牌名称: WXNSIC(国硅集成)
商品型号: XJNG0461
商品编号: C48542890
商品封装: SOP-16
包装方式: 编带
商品毛重: 0.336025克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	三相；半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	6
	灌电流(IOL)	300mA
	拉电流(IOH)	50mA
	工作电压	5V~28V
	上升时间(tr)	300ns
	下降时间(tf)	60ns

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	特性	欠压保护(UVP)；过热保护(OTP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	-
	输入低电平(VIL)	-
	静态电流(Iq)	500uA
	功能特性	交错导通保护；死区时间控制

商品概述

XJNG0461是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达40V。该器件采用高低压兼容工艺，实现了高侧和低侧栅极驱动电路的单芯片集成，每相均配备高侧和低侧两个输入及两个输出信号。其逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL电平，输入逻辑电平可低至3.3V。该芯片为PMOS和NMOS提供10V的栅源电压，并内置死区功能以防止同一相的高、低侧PMOS和NMOS发生直通。为简化PCB设计，XJNG0461集成了一个5V/40mA的LDO，可用于为MCU或其他芯片供电。此外，出于安全考虑，该芯片还集成了热关断保护功能。

商品特性

P/N MOS半桥三相输出
最高工作电压可达40 V
兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
dv/dt耐受能力可达±50 V/ns
P/NMOS |VGS|可达10V
内置5V/40mA LDO
内置过温保护功能
栅极驱动电压范围：5 V至40 V
宽工作温度范围：-40~125°C
防直通逻辑
内置130ns死区时间
开通/关断延迟时间：Ton/Toff = 80ns/30ns
高侧与低侧延迟匹配
驱动电流能力：拉电流/灌电流 = 50mA/300mA
内置欠压锁定电路
欠压锁定正向阈值：4.5V
欠压锁定负向阈值：4.3V
符合RoHS标准
SOP16封装

应用领域

中小型功率电机驱动
功率MOSFET驱动
半桥/全桥电源转换器
互补驱动转换器

数据手册PDF

放大查看下载PDF