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2N7002K-KTP
SOT-23 塑料封装 MOSFET
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- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。 关断状态下漏电流非常低。 ESD防护2KV HBM。 RDS(ON)，VGS@10V，ID@500mA < 2.8Ω。 RDS(ON)，VGS@4.5V，ID@200mA < 3.6Ω
- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- 2N7002K-KTP
- 商品编号
- C48392927
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0309克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 35pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 50 个)个
起订量：50 个3000个/圆盘
总价金额：
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