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2N7002K-KTP
SOT-23 塑料封装 MOSFET
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- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。 关断状态下漏电流非常低。 ESD防护2KV HBM。 RDS(ON)，VGS@10V，ID@500mA < 2.8Ω。 RDS(ON)，VGS@4.5V，ID@200mA < 3.6Ω
- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- 2N7002K-KTP
- 商品编号
- C48392927
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0309克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 35pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
商品概述
BMW65N100UC1是一款功率MOSFET，采用了Bestirpower先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。 通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师带来了低电磁干扰（EMI）的优势，同时具备低开关损耗。
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 关断状态下漏电流极低
- 静电放电(ESD)防护达2KV人体模型(HBM)
- 栅源电压(VGS)为10V、漏极电流(ID)为500mA时,导通电阻(RDS(ON))< 2.8Ω
- 栅源电压(VGS)为4.5V、漏极电流(ID)为200mA时,导通电阻(RDS(ON))< 3.6Ω
应用领域
- 电池供电系统
- 固态继电器驱动器:继电器、显示器、存储器