温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HRH10N65ANB
650V N沟道平面MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 基于先进的平面条纹 DMOS 技术，具有优化的导通电阻，还提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度，适用于高效开关电源。
- 品牌名称
- HRmicro(华瑞微)
- 商品型号
- HRH10N65ANB
- 商品编号
- C48392395
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.121克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.983nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.04pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 89pF |