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HRH2N65AD
650V N沟道平面MOSFET
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- 描述
- 基于先进的平面条纹 DMOS 技术。具有优化的导通电阻。提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。适用于高效开关电源
- 品牌名称
- HRmicro(华瑞微)
- 商品型号
- HRH2N65AD
- 商品编号
- C48392454
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47324克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 371pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 29pF |
商品概述
该器件是一款采用平面工艺的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，设计用于高压开关应用。其优化的栅极电荷和导通电阻特性有助于提升效率，并降低开关损耗。该产品采用先进的封装技术，提供出色的热性能，工作温度范围满足，确保在严苛环境下的可靠性。它适用于需要高电压阻断能力和快速开关速度的功率转换系统。
商品特性
- 漏源击穿电压为650V
- 低栅极电荷
- 低导通电阻
- 优化的栅极电阻，有助于改善电磁干扰性能
- 高dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关电源
- 功率因数校正
- 电机驱动
- 不间断电源
- 照明