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HRH4N65AED
650V N沟道平面MOSFET
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- 描述
- 基于先进的平面条纹 DMOS 技术，该 MOSFET 系列优化了导通电阻，还提供了卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于高效开关电源。
- 品牌名称
- HRmicro(华瑞微)
- 商品型号
- HRH4N65AED
- 商品编号
- C48392453
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.52344克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 497pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |