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SiLM2004ECA-DG
200V半桥驱动器
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- 品牌名称
- Sillumin(数明半导体)
- 商品型号
- SiLM2004ECA-DG
- 商品编号
- C48391672
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 600mA | |
| 拉电流(IOH) | 290mA | |
| 工作电压 | 10V~18V | |
| 上升时间(tr) | 70ns | |
| 下降时间(tf) | 25ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 680ns | |
| 传播延迟 tpHL | 125ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 200uA | |
| 功能特性 | 使能关断；交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
SiLM2004E是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。其专有的高压集成电路和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，最低可至3.3V逻辑电平。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，旨在最小化驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高侧配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压最高可达200V。
商品特性
- 专为自举操作设计的浮动通道
- 完全工作电压高达+200V
- 耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
- 栅极驱动电源范围10V至18V
- 欠压锁定
- 兼容3.3V、5V逻辑电平
- 交叉导通预防逻辑
- 双通道匹配的传播延迟
- 内部设定死区时间
- 关断输入可同时关闭两个通道
- 符合RoHS标准
- SOP8封装