MA4E2514M-1116
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 肖特基二极管 | |
| 二极管配置 | - | |
| 正向压降(Vf) | 470mV@1mA | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 整流电流 | 20mA | |
| 反向电流(Ir) | - | |
| 工作结温范围 | -40℃~+150℃ | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | - |
商品概述
MA4E2514 SURMOUNT 二极管T型系列是采用专利异质微波集成电路工艺制造的硅低势垒和中势垒肖特基器件。HMIC电路由形成二极管或通孔导体的硅柱组成,这些硅柱嵌入玻璃电介质中,玻璃电介质充当低色散、低损耗的微带传输介质。硅和玻璃的结合使HMIC器件能够在低剖面、可靠的器件中实现出色的损耗和功率耗散特性。 SURMOUNT肖特基器件是要求具备梁式引线器件的小寄生参数,同时兼具芯片优异机械性能的电路的绝佳选择。SURMOUNT结构采用极低电阻的硅通孔将肖特基接触连接到芯片底表面的金属化安装焊盘上。这些器件可靠、可重复,并且是传统器件的低成本高性能解决方案。它们比传统的梁式引线肖特基二极管具有更低的静电放电敏感性。 SURMOUNT肖特基结制造中采用的多层金属化包括一个铂扩散阻挡层,这使得所有器件都能承受300°C下16小时的非工作稳定性烘烤。 "0505"外形允许表面贴装放置和多功能极性方向。 外壳样式1116。
商品特性
- 极低的寄生电容和寄生电感
- 可在微波电路中表面贴装,无需键合线
- 坚固的HMIC结构,带有聚酰亚胺划痕保护层
- 可靠的多层金属化,带有扩散阻挡层,100%稳定性烘烤(300°C,16小时)
- 更低的静电放电损伤敏感性
应用领域
- 混频器
- 次谐波混频器
- 检波器
- 限幅器

