MA4E2532L-1113
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 肖特基二极管 | |
| 二极管配置 | - | |
| 正向压降(Vf) | 330mV@1mA | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 整流电流 | 20mA | |
| 反向电流(Ir) | 10uA@5V | |
| 工作结温范围 | - | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | - |
商品概述
MA4E2532 - 1113系列SURMOUNT™低和中势垒硅肖特基环形四极管采用获得专利的异质微波集成电路（HMIC）工艺制造。HMIC电路由形成二极管或过孔导体的硅基座组成，这些基座嵌入玻璃电介质中，玻璃电介质作为低色散、低损耗的微带传输介质。硅和玻璃的结合使HMIC器件在低外形、可靠的器件中具有出色的损耗和功率耗散特性。
Surmount肖特基器件是需要梁式引线器件的小寄生参数和芯片卓越机械性能的电路的理想选择。Surmount结构采用极低电阻的硅过孔将肖特基触点连接到芯片底面的金属化安装焊盘。这些器件可靠、可重复，并且是传统器件的低成本性能解决方案。与传统梁式引线肖特基二极管相比，它们对静电放电的敏感性更低。
Surmount肖特基结制造中采用的多层金属化包括铂扩散阻挡层，这使得所有器件都能在300°C下进行16小时的非工作稳定烘焙。
“0505”外形允许表面贴装和多功能极性取向。
外壳样式1113 外壳样式1113 电气规格@25°C（作为单个二极管测量）
- Rt是动态斜率电阻，其中Rt = Rs + Rj，Rj = 26 / Idc（Idc单位为mA），Rs是欧姆电阻。
商品特性
- 极低的寄生电容和电感
- 可用于微波电路的表面贴装，无需引线键合
- 采用聚酰亚胺划痕保护的坚固HMIC结构
- 可靠的多层金属化，带有扩散阻挡层，100%稳定烘焙（300°C，16小时）
- 对ESD损坏的敏感性较低
应用领域
MA4E2532 - 1113系列SURMOUNT™低和中势垒硅肖特基环形四极管推荐用于微波电路，频率可达Ku波段，适用于低功率应用，如混频器、次谐波混频器、探测器和限幅器。HMIC结构便于用相应的Surmount二极管直接替换更脆弱的梁式引线二极管，该二极管可以通过焊接连接到硬或软基板电路。